在50時(shí)代前,感應(yīng)加熱機(jī)關(guān)鍵有:工頻感應(yīng)熔煉機(jī),電磁倍頻器,中頻發(fā)電機(jī)組和電子管震動(dòng)器式高壓電源。50時(shí)代末可控硅的出現(xiàn)則意味著固體集成電路工藝為關(guān)鍵的現(xiàn)代電力電子學(xué)的剛開端。硅晶閘管的出現(xiàn)促進(jìn)了感應(yīng)力熱電源及中頻感應(yīng)加熱機(jī)應(yīng)用的迅猛成長。

70時(shí)代末到80時(shí)代初,現(xiàn)代半導(dǎo)體材料微型機(jī)集成化臨盆加工技巧性與輸出功率半導(dǎo)體技巧的融合,為開辟設(shè)計(jì)新式輸出功率集成電路工藝出示了標(biāo)準(zhǔn),陸續(xù)出現(xiàn)了一大年夜批全控型電力電子技巧集成電路工藝,巨大年夜地促進(jìn)了電力電子學(xué)成長趨勢,為固態(tài)超音頻、高頻電源、中頻感應(yīng)加熱機(jī)的研發(fā)出示了堅(jiān)實(shí)的基本。

迄今,在高頻(500Hz~10kHz)范圍之內(nèi),可控硅中頻感應(yīng)加熱機(jī)機(jī)已*替代了傳統(tǒng)式的中頻發(fā)電機(jī)組和電磁感應(yīng)倍頻器。在高頻率范圍之內(nèi),因?yàn)榫чl管自身電源開關(guān)特點(diǎn)等重要參數(shù)的限制,給研發(fā)該頻率段的開關(guān)電源產(chǎn)生了挺大年夜的技巧程度,它務(wù)必根據(jù)更改電源電路拓?fù)錁?gòu)造才有將會(huì)保持。

1983年IGBT的面世進(jìn)-步促進(jìn)了感應(yīng)加熱機(jī)的成長趨勢，IGBT綜合性了MOS和雙極晶體管的優(yōu)勢,具備通態(tài)壓削減,電源開關(guān)速度更快,易驅(qū)動(dòng)器等優(yōu)勢,自1988年處理了擎住難題后,功率髙速IGBT己變成諸多中頻感應(yīng)加熱機(jī)的*元器件,頻率達(dá)到100kHz輸出功率達(dá)到MW級(jí)開關(guān)電源已可保持。